真空蒸發(fā)鍍膜的基本工藝流程：

鍍前準(zhǔn)備→抽真空→離子轟擊→烘烤→預(yù)熔→蒸發(fā)→取件→膜層表面處理→成品

圖 真空蒸發(fā)鍍膜的工藝流程圖

真空蒸發(fā)鍍膜的特點：

優(yōu)點：設(shè)備簡單易操作，制成的薄膜純度高、質(zhì)量好，厚度可較準(zhǔn)確控制，成膜速率快，效率高，薄膜生長機(jī)理比較簡單。

缺點：所形成的薄膜在基材上附著力較小，工藝重復(fù)性不夠好，不易獲得結(jié)晶結(jié)構(gòu)的薄膜。

磁控濺射鍍膜

磁控濺射鍍膜原理：

電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。

圖 磁控濺射原理

磁控濺射主要工藝流程：

（l）基片清洗，主要是用異丙醇蒸汽清洗，隨后用乙醇、丙酮浸泡基片后快速烘干，以去除表面油污；

（2）抽真空，真空須控制在2×104Pa以上，以保證薄膜的純度；

（3）加熱，為了除去基片表面水分，提高膜與基片的結(jié)合力，需要對基片進(jìn)行加熱，溫度一般選擇在150℃~200℃之間；

（4）氬氣分壓，一般選擇在0.01~1Pa范圍內(nèi)，以滿足輝光放電的氣壓條件；

（5）預(yù)濺射，預(yù)濺射是通過離子轟擊以除去靶材表面氧化膜，以免影響薄膜質(zhì)量；

（6）濺射，氬氣電離后形成的正離子在正交的磁場和電場的作用下，高速轟擊靶材，使濺射出的靶材粒子到達(dá)基片表面沉積成膜；

（7）退火，薄膜與基片的熱膨脹系數(shù)有差異，結(jié)合力小，退火時薄膜與基片原子相互擴(kuò)散可以有效提高粘著力。

圖 磁控濺射鍍膜工藝流程圖

依據(jù)濺射源的不同，磁控濺射有直流和射頻之分，兩者的主要區(qū)別在于氣體放電方式不同，射頻磁控濺射利用的是射頻放電，陶瓷產(chǎn)品使用的是射頻磁控濺射鍍。

磁控濺射鍍膜的特點：

優(yōu)點：薄膜純度高，致密，厚度均勻可控制， 工藝重復(fù)性比較好，附著力強。

缺點：設(shè)備復(fù)雜，靶材利用率低下。