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增透膜化學氣相沉積法
日期：2026-04-08 07:23
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摘要：
增透膜化學氣相沉積法
化學氣相沉積法（CVD）(增透膜)是把含有構成薄膜元素的氣體供給襯底，利用加熱、等離子體及紫外光等能源，在襯底上發生化學反應沉積薄膜，可以制備 SiN、ZnS、SiO2、SiC 等太陽能電池減反射膜。
CVD 法有很多優點：薄膜形成方向性小，微觀均勻性好；薄膜純度高，殘余應力小，延展性強；薄膜受到的輻射損傷較小。
CVD 的主要缺點是需要在高溫下反應，襯底溫度高，沉積速率較低，一般每小時只有幾微米到幾百微米，使用的設備復雜，基體難以進行局部沉積以及反應源和反應后的余氣都有一定的毒性等。CVD常常以反應類型或 者壓力來分類，常用的有以下幾種：低 壓 CVD（LPCVD）[20]、常壓 CVD（APCVD）、亞常壓 CVD（SACVD）、(增透膜)超高真空CVD（UHCVD）、等離子體增強 CVD（PECVD）、高密度等離子體CVD（HDPCVD）以及快熱 CVD（RTCVD）。
等離子體增強化學氣相沉積法（PECVD）是工業沉積多種材料應用*廣泛的方法。
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